우리 연구소는 연 3회 사용자교육을 한다.
이 정기교육때는 외부에서도 많이 교육을 신청해서 오는 것 같다.
이번에도 삼성전자랑 하이닉스에서 많이 왔더라
나는 샘플을 만들면 SEM으로 봐야할 일이 빈번하기 때문에,
3월에 상시교육을 신청해서 Inspect F50 실습교육을 받고 지금까지 사용하고 있었다.
하지만 아무래도 바로 사용하기 위해 (약간 속성으로 배워서) 이론적인 부분이 매우 부족해서 사용할 때 마다 선생님께 질문을 많이 하면서 사용했었다 .. 크흡 ㅠㅠ
그래서 하루종일 이론교육을 해주는 이 정기교육을 기다리고 있었다!!
오전시간에는 EM기술에 대한 오버뷰와 SEM의 구성과 작동원리에 대해 배웠고, 오후에는 SEM이미징과 분석에 대한 특수기술들과 화학분석의 원리와 방법에대해 설명해주셨다.
그런데 오전 수업 하시는 박사님이 너무 .. 전달력이 떨어지셔서 솔직히 좀 힘들었다.... ㅠㅠ
레졸루션과 컨트라스트에 대한 설명으로 강의가 시작되었다.
자장,로렌츠힘,광축,필수구성요소, 원리 정도만 ... 알고 넘어갔다...
구성요소를 아는 것도 중요하다고 느낀것이.
평소에 align할때 lens align은 뭐하는 거여 했는데,
deflector를 알고나니, 왜하는 거고 어떻게 align되는 어떻게 하는게 올바르게 하는건지 알 수 있어서 좋았다.
그리고 aperture를 이용해서 레졸루션과 컨트라스트를 조절하는 것이기 때문에, 어느정도의 적당함을 찾아야하는 것인지도 알게되었다.
그리고 평소에 , (샘플에따라 약간 다르긴하지만) 잘 모르니까 대부분 가속전압 15kv에 spot size 3.0d으로 고정하고 그냥 썼었는데,
이번기회에 spot size랑 가속전압의 역할, 어떻게 변하는지 들으면서 배운 것이 많았다.
그리고 장비가 가지고 있는 detector의 종류와 그것이 어떤 이미징에 필요한 것인지.
BSE,SE,X-ray 이것은 SEM을 기본으로한 FIB를 배울때도 기본이기 때문에(앞에도 다 마찬가지지만)잘 숙지해야한다.
그리고 이 electron beam에 따른 Interaction Volume! 이것도 기억에 남았다. 왜냐면 샘플링하는데, 중요한 것 같다. interaction volume때문에 시료에 따라서 샘플링을 다르게 하는게 더 좋다거나 하는 것을 배웠다.
Interaction Volume을 결정짓는 요소 (Z,accelerating voltage,angle of electron beam)을 알아야하고, 발생하는 시그널들을 예상해보며 원자번호와 가속전압을 고려해서 설정한다던지.. 하는 것들이 필요하다
샘플에대한 이해와 무엇을 분석하는지를 충분히 생각하고, 같은 조건이라도 가속전압을 조절해서 레졸루션이나, Depth sensitiviy를 생각하며 분석해야하기 때문이다.
그리고 electron beam의 각도는 Edge effect를 발생시키기 때문에, 생각해야한다.
그리고 뒷부분에서는 Inspect F50과 Nova SEM(TLD)의 차이점도 보여주었고, scan line spacing 과 Ideal spot size 에 대해 들었는데, 이때까지 line spacing이란 것을 몰랐다. 앞으로 magnification에 따라서 어떤 것을 고려사항에 넣어야 할지도 알게되었다.
수업듣는 내내 느낀 것이자 가장 크게 느낀점은 역시 샘플에 대한 이해와 내가 어떻게 분석계획을 가지고 분석해야할지가 정말 중요하다는 것, 그리고 아무리 실험을 잘하더라도, 미숙한 분석으로 인해 판이한 결과를 초래 할 수도 있기 때문에 분석능력을 기르는 것이 중요하다는 것을 느꼈다.
앞으로도 내가 이 생각을 마음에 새기고 매순간 긴장하고 고민하며 연구할 수 있길 바란다.